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ISBN : 9788984686977 / 178쪽 / 338g / 176 x 248 (㎜)
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출판사 리뷰
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- 저자 : 신창환
Chapter 00 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor?
1. MOSFET의 동작 원리
2. Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor (MOSCAP)
3. Metal?2Oxide?iSemiconductor Field?Effect Transistor (MOSFET)
Chapter 01 Band Structure and Carrier Dynamics
1. Band Structure
1-1. Energy bands
1-2. Simple energy band diagram of semiconductors
1-3. Energy vs. wave vector (E-k) diagram of semiconductors
2. Carrier Dynamics
2-1. Carrier drift
2-2. Carrier mobility & conductivity
2-3. Velocity saturation
2-4. Carrier diffusion
2-5. Total current
Chapter 02 Gate Stack Technology
1. Gate stack 기술 발전
2. Gate stack 기술이 직면한 한계 및 해결 방안
2-1. Gate stack 기술이 직면한 한계 (Gate leakage current)
2-2. Quantum mechanical tunneling
2-3. 새로운 oxide 물질을 이용한 gate stack technology
2-4. 새로운 metal 물질을 이용한 gate stack technology
2-5. High-k/Metal Gate (HK/MG) 공정 기술
Chapter 03 Summary on sub?100?0nm Semiconductor Device Technology
1. 90nm 반도체 기술
1-1. 90nm 구현을 위한 문제점
1-2 사용된 기술
2. 65nm 반도체 기술
2-1. 65nm 구현을 위한 이전의 문제점
2-2. 사용된 기술
3. 45nm 반도체 기술
3-1. 45nm 구현을 위한 이전의 문제점
3-2. 사용된 기술
3-3. 45nm and future
4. 32nm 반도체 기술
4-1. 32nm 구현을 위한 이전의 문제점
4-2. 사용된 기술
5. 22nm 반도체 기술
5-1. 22nm 구현을 위한 이전의 문제점
5-2. 사용된 기술
6. 14nm 반도체 기술
6-1. 14nm 구현을 위한 이전의 문제점
6-2. 사용된 기술
Chapter 04 Low Power Semiconductor Devices
1. Power density 문제
2. Boltzmann tyranny
2-1. Subthreshold slope (SS)
2-2. Thermionic emission
2-3. 해결방안
3. Steep switching device: Negative capacitance Field?4Effect
Transistor (NCFET)
3-1. Steep switching device using negative capacitance
3-2. Capacitance
3-3. Ferroelectric materials
3-4. Curie temperature
3-5. Negative state in polarization vs. electric field plot
3-6. Stabilization of negative capacitance in ferroelectric capacitor
3-7. Ferroelectric과 dielectric의 capacitance matching
3-8. Negative capacitance field-effect transistors (NCFETs)
